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Geim y Novoselov fabrican el primer transistor túnel-FET usando heteroestructuras verticales de grafeno

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Quien piense que un Premio Nobel de Física se relaja tras recibir la gloria del premio no conoce a los padres del grafeno, Geim y Novoselov; no paran. Publican hoy en Science la fabricación del primer transistor túnel-FET (TFET o Tunnel Field-Effect Transistor en inglés) fabricado mediante una heteroestructura (dispositivo formado por varias capas delgadas [...]

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